电镀金刚石磨头批发

沉积金刚石薄膜的机理至今尚无定论

磨料磨具中低温低压下cvd法沉积金刚石薄膜的机理至今尚无定论，仍是今后的研究方向之一。晶体的形成分为两个阶段，早阶段称为晶体成核阶段，第二阶段晶体生长阶段。早阶段含碳的气源在合适的工艺参数下，在沉积基体上形成一定数量的孤立的金刚石晶核;第二阶段，金刚石晶核不断长大，并连成一片，覆盖整个基体的表面，再沿垂直方向生长，形成一定厚度的金刚石膜。

在早阶段主要目的是尽快的在基体表面上形成金刚石晶核，并能有效的控制金刚石的密度，要大限度的提高金刚石的形核密度;在第二阶段主要目的是让已形核的金刚石长大，并能有效的控制金刚石膜的生长速度和。

金刚石的成核机理

在研究金刚石的成核机理等基础理论方面是较为完善的一种。尽管合成速度较慢约为1~2um/h，但沉积的金刚石薄膜高，与基体结合好。

近发展的等离子体辅助热丝cvd法(eacvd)，不仅获得远比一般热丝cvd法更高的沉积速度(10—20um/h)，而且金刚石膜的得到---提高。

先将真空室---真空，再将热丝加热到1800℃~2400℃的高温，通往含碳气源和h2，电镀金刚石磨头批发，气体通过热丝时被分解成原子h，ch3，c2h2等基团，这些活性基团在800℃~1100℃的基体上反应形成金刚石晶核，再生长成金刚石膜。其中丝的材质、温度、丝与基体间的距离、气体种类比例、基体温度等对金刚石形核和生长都影响。